Відділ №16

 

1.     О.Ю. Бончик, С.Г. Кияк, І.А. Могиляк, І.П. Паливода, Г.В. Савицький, І.П. Тростинський.Формування надтонких легованих шарів у напівпровідниках під дією лазерного випромінювання. Вісник Національного університету “Львівська політехніка” (Електроніка), 2002 № 455, с.15-20.

2.     І.І. Іжнін, С.Г. Кияк, Г.В. Савицький, О.Ю. Бончик, Б.Б. Притуляк, В.О. Юденков. Автоматизований комплекс для дослідження електрофізичних властивостей напівпровідникових матеріалів. В зб.: Фізичні методи та засоби контролю середо-вищ, матеріалів та виробів. Львів, 2002, вип.7, с.235-240.

3.     О.Ю. Бончик, Г.В. Савицький, І.І. Іжнін, С.Г. Кияк, І.А. Могиляк, І.П. Тростинський. Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс”. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. –2002, № 6, с.45-47.

4.     A.P. Vlasov, O.Yu. Bonchyk, V.K. Pysarevsky, O.P. Storchun, A.V. Shevchenko, H.V. Pokhmurska, A. Barcz, Z. Swiatek. Controlled arsenic diffusion in epitaksial CdxHg1-xTe layers in the evaporation-condensation-diffusin process. Thin Solid Films, 403-404, 2002, p.144-147.

5.     А.П. Власов, О.Ю. Бончик, В.К. Писаревский, А.В. Шевченко, А. Барч. Особенности формирования диффузионных p-n переходов в варизонных эпитаксиальных структурах на основе Cdx Hg1-xTe. Прикладная физика, №3, 2003, с. 56-60.

6.     A.P. Vlasov, O.Yu. Bonchyk, V.K. Pysarevsky, A.V. Shevchenko, A. Barch. Peculiarities of diffusion p-n junction formation in Cd_XHg_1-XTe graded-band-gap epitaxial structures. Proc. SPIE – 2003. – Vol. 5126. – P. 391-397.

7.     А.P. Власов, О.Ю. Бончик, І.M. Фодчук, Р.A. Заплітний. Рентгеноструктурні методи аналізу епітаксійних шарів CdHgTe. В зб.: “Фізичні методи та засоби контролю середовищ, матеріалів та виробів”.-Вип.9: 2004.–C.156-159.

8.     A.P. Vlasov, O.Yu. Bonchyk, V.O. Bogoboyashchyy, A. Barcz. High temperature arsenic doping of CdHgTe epitaxial layers. Cryst. Res. Technol. 2004. – Vol.39, №1. – P.11-22.

9.     A.Р. Vlasov, O.Yu. Bonchyk, B.S. Sokolovskii, L.S. Monastyrskii, A. Barcz. The effect of built-in electric field on As diffusion in HgCdTe graded-band-gap epitaxial layers. Thin Solid Films. – 2004. – V.459. – P.28-31.

10. А.П. Власов, О.Ю. Бончик, В.К.Писаревський, О.П. Сторчун, А. Барч, З. Свьонтек. Твердофазне легування сурмою епітаксійних шарів Cd_XHg_1-XTe. Фізика і хімія твердого тіла. – 2004. – Т. 5, №2. – С.251-255.

11. Р.А. Заплітний, А.П. Власов, О.Ю. Бончик, І.М. Фодчук. Структурні особливості іонного легування As варізонних епітаксійних шарів Cd_XHg_1-XTe. Науковий вісник Чернівецького університету. – 2004. – Вип.201. – С.60-66.

12. А.П. Власов, О.Ю. Бончик, О.П. Сторчун, І.М. Фодчук, Р.А. Заплітний, А. Барч, З. Свьонтек, В.П. Омельянчук. Твердофазне легування елементами V групи періодичної таблиці епітаксійних шарів Cd_ХHg_1-ХТe. Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. Електроніка. 2005. Випуск 237. С. 99-108.

13. Z. Swiatek, I.M. Fodchuk, O.Yu. Bonchyk, I.V. Litvinchuk, W. Baliga, M. Michalec, J. Guspiel. Complex photoluminescence spectrum of Si nanostructures formed by the ion implantation and chemical etching. Archives of metallurgy and materials.- 2005.- v.50, p. 445-455.

14. A.P. Vlasov, O.Yu. Bonchyk, I.M. Fodchuk, R.A. Zaplitnyy, A. Barcz , Z. Swiatek. Solid state doping of CdxHg1–xТе epitaxial layers with elements of V group. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics .- 2006.- v.9, p. 36-42.

15. А.П. Власов, О.Ю. Бончик, Б.О. Сімків, С.Г. Кияк, Г.В. Савицький, Р.А. Заплітний. Особливості газофазного та твердофазного легування арсеном шарів CdHgTe в процесі епітаксії. Вісник Національного університету “Львівська політехніка” (Електроніка), 2006 № 458, с. 47-52.

16. О.Ю. Бончик, А.П. Власов, З.Ю. Готра, С.Г. Кияк, І.А. Могиляк, Г.В. Савицький. Нерівноважні методи оброблення матеріалів з використанням імпульсного лазерного випромінювання та іонної імплантації. Вісник Національного університету “Львівська політехніка” (Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки),2007, № 569, с.157-164.

17. О.Ю. Бончик, З.Ю. Готра, Б.К. Дацко, С.Г. Кияк, В.В. Мелешко, І.А. Могиляк. Нестійкості формування поверхні розділу фаз у зонах дії імпульсного лазерного випромінювання на напівпровідники. Вісник Національного університету “Львівська політехніка” (Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки), 2007, № 569, с.67-73.

18. P. Zieba, B.J. Datsko, V.V. Meleshko, I.A. Mohylyak, Z. Swiatek, L. Litynska-Dobrzynska. Interface Dynamics of Melt Instabilities on Semiconductor Surfaces. Solid State Phenomena, 2007, Vol. 129, pp. 137-143.